华南师范大学物理学院徐小志研究员及合作者研究成果入选2020年度中国半导体十大研究进展

　　《半导体学报》2020年，推荐评选首届“中国半导体年十大研究进展”，旨在记录中国半导体科技研究领域的标志性成果。经过两轮严格的评选，由43位半导体领域权威专家组成的评选委员会最终根据投票排名，从38项优秀研究成果中评选出10项。我校物理与通信工程学院、广东省量子控制工程与材料重点实验室的年轻拔尖人才徐小智研究员及其合作者“全球首次制造出最全(30余种)、最大(A4纸尺寸)高指数晶面单晶铜箔库”，成功入选“2020年中国半导体十大研究进展”。

　　近年来，随着微纳加工技术的不断进步，芯片集成度越来越高，出现了短沟道效应和热效应的问题，对材料性能提出了更高的要求。单晶铜具有低损耗、高散热等优异性能，是半导体行业首选的导电散热材料。此外，石墨烯和氮化硼被认为是全二维器件中最好的半金属和绝缘体材料，单晶铜箔已被证明是单晶石墨烯和氮化硼等二维材料外延生长的关键衬底。因此，制备各种对称结构的大尺寸单晶铜箔在半导体工业中具有重要意义。

　　我校徐小智研究员与北京大学刘开慧院士、王恩格院士、中国南方科技大学俞大鹏院士、韩国蔚山科技学院丁奉教授合作，提出了全新的晶体表面界面调控“变异与继承”生长机制，实现了世界上首次研制出最全面、最大的高指数晶面单晶铜箔库。相关研究成果发表在《自然》杂志《自然》(nature  2020，581，406410)上，标题为“高指数面大单晶铜箔的生长”。